Sekundaarsete vooluahelate testimisseadmete igapäevane hooldus peaks keskenduma niiskuse ja tolmu vältimisele, korrapärasele kalibreerimisele, häiretekindlusele ja standardsele tööle, et tagada pikaajaline stabiilne töö ja mõõtmistäpsus.
Hoidke keskkond kuiva ja puhtana: Niiskus ja tolm võivad põhjustada juhtmestiku oksüdeerumist, halba kontakti või isolatsioonivõime langust. Juhtpaneele, klemmiplokke ja muid alasid tuleb regulaarselt puhastada kuiva harja või tolmuimejaga. Ärge pühkige vee ega niiske lapiga. Ka välistingimustes kasutatavaid klemmikarpe tuleb perioodiliselt kuivatada.
Regulaarne funktsionaalne testimine ja kalibreerimine:
Normaalse töö kinnitamiseks vajutage kord kuus lekkevooluseadme (RCD) testnuppu.
Andmete täpsuse tagamiseks teostada iga 2-3 aasta tagant mõõtevahendite täpsuskalibreerimist.
Normaalseks tööks jälgige iga päev instrumendi näitu ja märgutulesid; kontrollige kord nädalas lahtiste klemmide olemasolu.
Standardkasutus ja ohutu töö:
Kasutage isoleeritud tööriistu. Lühise või maanduse vältimiseks tuleks metallosad mähkida isoleerlindiga.
Pingestatud vooluringi puhastamisel peaksid töötajad eemaldama kellad ja muud metallesemed, kandma pikkade{0}}varrukatega tööriideid ja kindaid.
Ärge kasutage seadme puhastamiseks suud ega suruõhku, kuna see võib põhjustada tolmu sattumist.
Tugevdage häiretevastast-ja maandusjuhtimist
Kõik pinge- ja voolutrafo sekundaarmähised peavad olema püsiva ja töökindla maandusega, mida ei tohi hoolduse käigus lahti ühendada.
Pingetrafo sekundaarahel peaks olema maandatud juhtruumi ühes punktis, et vältida mitmest maanduspunktist põhjustatud tsirkuleeriva voolu häireid.
Vältige tugevaid elektromagnetvälja häireid; võtke vajadusel varjestusmeetmeid.
Töö jälgimine ja ebanormaalne reaktsioon
Jälgige valgussignaalide ja heliseadmete funktsionaalsust ning kõrvaldage viivitamatult kõik kõrvalekalded.
Kui kaitseseade rakendub, salvestage väljalülitusteave ja uurige põhjust.
Suvel veenduge, et releeruumi temperatuur oleks vahemikus 25–35 kraadi, et vältida kõrgete temperatuuride mõjutamist mikroprotsessoril põhineva kaitseseadme töös.
